半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明的制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底中形成包括栅极、源极和漏极区的晶体管结构；执行第一硅化处理，以在源极和漏极区上形成第一金属硅化物层；在衬底上沉积第一介电层，该第一介电层的顶部与栅极区的顶部持平；在第一介电层中与源极和漏极区相对应的部位形成接触孔；以及执行第二硅化处理，以在栅极区、接触孔中形成第二金属硅化物，其中，第一金属硅化物层使得源极和漏极区避免在第二硅化处理时再次发生硅化反应。根据本发明，不仅可以降低栅电阻，而且能够降低在栅与源/漏上形成接触孔时RIE工艺中的困难。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底中形成包括栅极、源极和漏极区的晶体管结构；执行第一硅化处理，以在源极和漏极区上形成第一金属硅化物层；在衬底上沉积第一介电层，该第一介电层的顶部与栅极区的顶部持平；在第一介电层中与源极和漏极区相对应的部位形成接触孔；以及执行第二硅化处理，以在栅极区、接触孔中形成第二金属硅化物，其中，第一金属硅化物层使得源极和漏极区避免在第二硅化处理时再次发生硅化反应，其中，执行第一硅化处理的步骤包括：在衬底上沉积第一材料且进行退火，使第一材料在源极和漏极区发生硅化反应，从而形成第一金属硅化物层；以及，执行第二硅化处理的步骤包括：在接触孔中注入多晶硅；以及在第一介电层上沉积第二材料且进行退火，使第二材料在栅极区以及接触孔中发生硅化反应，从而形成第二金属硅化物，其中，选择第二硅化处理中的退火温度，使得第二材料实质上不会与源极和漏极区发生反应，该方法还包括：在执行第一硅化处理之前，在栅极区上形成掩蔽层，以防止第一材料与栅极区发生反应；以及在执行第二硅化处理之前，去除该掩蔽层，其中，在接触孔中注入多晶硅的步骤包括：在衬底上沉积多晶硅层，然后使用化学机械抛光对该多晶硅层进行研磨，直至露出所述掩蔽层。