发明名称 全桥无死区SPWM控制方法
摘要 本发明涉及逆变电路PWM控制技术,旨在提供一种全桥无死区SPWM控制方法。该方法是对由直流电源或电容与两个半桥并联构成的全桥电压型逆变器进行控制,通过对这两个半桥分别作双极性SPWM调制,获得同一桥臂上下开关管互补导通的各开关管的调制信号,所得的调制信号经过基于优化前后对应每个开关周期内输出平均电压相等为原则的无死区优化过程,并在输出电流换向处加入一个死区时间得到最终各开关管的调制信号。本发明使得各桥臂每半个周期只在输出电流换向时提供一个死区时间,加入死区的频率是参考正弦信号频率的2倍。逆变器的开关损耗降低,效率提高;采用该控制方法后的全桥电压型逆变器适用于各类负载,如感性、容性、阻性负载。
申请公布号 CN102651622A 申请公布日期 2012.08.29
申请号 CN201210142424.2 申请日期 2012.05.09
申请人 浙江大学 发明人 宋春伟;赵荣祥;朱明磊
分类号 H02M7/5395(2006.01)I 主分类号 H02M7/5395(2006.01)I
代理机构 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人 金祺
主权项 一种全桥无死区SPWM控制方法,其特征在于,是对由直流电源或电容与两个半桥并联构成的全桥电压型逆变器进行控制,通过对这两个半桥分别作双极性SPWM调制,获得同一桥臂上下开关管互补导通的各开关管的调制信号,所得的调制信号经过基于优化前后对应每个开关周期内输出平均电压相等为原则的无死区优化过程,并在输出电流换向处加入一个死区时间得到最终各开关管的调制信号;所述全桥电压型逆变器中,半桥B1由全控型电力电子开关S1、S2串联而成,S1反并联二极管D1,S2反并联二极管D2;半桥B2由全控型电力电子开关S3、S4串联而成,S3反并联二极管D3,S4反并联二极管D4。
地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
您可能感兴趣的专利