半导体器件的制造方法、半导体器件和电子装置

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法和包括该半导体器件的电子装置。所述半导体器件的制造方法包括：使由合金形成的布线层暴露在半导体基板的一个表面侧上，所述合金包括两种以上具有不同标准电极电位的金属；以及进行等离子体处理，以使由含氮气体和惰性气体的混合气体产生的等离子体或者由含氮气体产生的等离子体对包括所述布线层的暴露表面的范围进行照射。本发明能够抑制在划片处理等处理中水与布线层的暴露表面相接触时在布线层的暴露表面上产生的并导致布线层的暴露表面上的接合强度减小、不良外观等的腐蚀。

主权项

一种半导体器件的制造方法，所述方法包括以下步骤：使由合金形成的布线层暴露在半导体基板的一个表面侧上，所述合金包括两种以上具有不同标准电极电位的金属；以及进行等离子体处理，以使由含氮气体和惰性气体的混合气体产生的等离子体或者由含氮气体产生的等离子体对包括所述布线层的暴露表面的范围进行照射。