发明名称 |
一种纳米复合润滑薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种中频磁控溅射技术制备TiSiCN纳米复合润滑薄膜的方法。本发明利用中频磁控溅射技术,以CH4和N2为反应气体溅射TiSi复合靶,通过调节复合靶中Ti和Si原子比、CH4和N2气体比例、脉冲偏压制备TiSiCN纳米复合润滑薄膜。本发明解决了单一TiC、TiN和DLC薄膜摩擦学性能的局限性,克服了CVD法制备TiSiCN薄膜残余气体毒性大的难题。制备的薄膜具有较高的硬度,低的摩擦系数和良好的抗磨性,适用于轴承、小型转轴和空间运动部件等机械零部件表面的自润滑耐磨薄膜。 |
申请公布号 |
CN102650043A |
申请公布日期 |
2012.08.29 |
申请号 |
CN201110047212.1 |
申请日期 |
2011.02.24 |
申请人 |
中国科学院兰州化学物理研究所 |
发明人 |
刘维民;姜金龙;郝俊英;石雷;王鹏 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
兰州中科华西专利代理有限公司 62002 |
代理人 |
方晓佳 |
主权项 |
一种纳米复合润滑薄膜的制备方法,其特征在于该方法依次包括A、B、C和D四个步骤:A将基底材料置于中频磁控溅射薄膜沉积系统的真空室,抽真空至≤3.0×10‑3Pa,通入氩气至0.4~2.0Pa;打开脉冲偏压电源,调节偏压为‑700~‑1000V,占空比15%~80%,用氩离子溅射清洗基底表面;所述的基底材料为不锈钢片或单晶硅片;B开启中频电源起辉光,对TiSi复合靶预溅射10~20min;C调节中频溅射电源电流至1.0~3.0A,脉冲偏压‑100~‑1000V,占空比为15%~80%,沉积TiSi过渡层10~20min;D真空室内通入CH4和N2气体,调节中频溅射电源电流至1.0~3.0A,溅射电压为400~450V,脉冲偏压为‑100~‑1000V,占空比为15%~80%,沉积90~150min,制备出TiSiCN纳米复合润滑薄膜。 |
地址 |
730000 甘肃省兰州市城关区天水中路18号 |