一种多晶硅TFT阵列基板的制造方法

摘要

本发明涉及液晶显示器制备领域，提供了一种多晶硅TFT阵列基板的制造方法，通过一道HTM或GTM掩膜工艺，完成了栅电极、多晶硅半导体和像素电极部分的构图处理。较现有技术中，先进行一次构图工艺处理得到多晶硅半导体部分，再进行一次构图工艺处理得到栅电极，后续在进行一次构图工艺处理得到像素电极而言，减少了两次利用掩膜板曝光的工艺处理，从而降低了工序复杂度，减少了加工时间和加工成本。

主权项

一种多晶硅TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括步骤：S401，在基板上形成缓冲层；S402，在所述缓冲层上形成多晶硅层；S403，在所述多晶硅层上形成栅绝缘层；S404，在所述栅绝缘层上形成复合栅电极层；S405，利用半透式掩膜板或灰色调掩膜板，对所述复合栅电极层、栅绝缘层、多晶硅层进行构图工艺处理，通过一次构图工艺得到栅电极、多晶硅半导体和像素电极的图案。