| 发明名称 | 一种制备大尺寸硅孔阵列的方法 | ||
| 摘要 | 一种制备大尺寸硅孔阵列的方法，步骤如下：首先选择低电阻率的p型硅衬底，在表面上沉积金属颗粒，然后将表面沉积了金属颗粒的硅衬底在含有氧化剂的溶液中进行阳极氧化，在恒流条件下，通过控制电流密度和腐蚀时间，获得百纳米到微米量级的大尺寸硅孔阵列。 | ||
| 申请公布号 | CN102650069A | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
| 申请号 | CN201210130396.2 | 申请日期 | 2012.04.27 |
| 申请人 | 中国科学院电工研究所 | 发明人 | 赵雷;李兆辰;王文静 |
| 分类号 | C25D11/32(2006.01)I;C25D15/00(2006.01)I;C25F3/12(2006.01)I;C25F3/14(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | C25D11/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人 | 关玲 |
| 主权项 | 一种制备大尺寸硅孔阵列的方法，其特征在于，所述的制备方法步骤如下：(1)选择低电阻率的p型硅衬底，并在硅衬底表面上沉积金属颗粒；(2)将表面沉积了金属颗粒的硅衬底在含有氧化剂的溶液中进行阳极氧化；通过调节各步工艺参数，获得百纳米到微米量级的大尺寸硅孔阵列；其中，所述的低电阻率指所述的p型硅衬底的电阻率小于5Ω·cm，所述的大尺寸硅孔阵列指硅孔阵列的直径大于100nm。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村北二条6号 | ||