发明名称 | 铟靶材及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种可良好地抑制异常放电产生的铟靶材及其制造方法。该铟靶材的靶材表面的算术平均粗糙度(Ra)为1.6μm以下。 | ||
申请公布号 | CN102652185A | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
申请号 | CN201180004844.8 | 申请日期 | 2011.05.12 |
申请人 | JX日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 前川贵诚;远藤瑶辅 |
分类号 | C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 张淑珍;王维玉 |
主权项 | 一种铟靶材,其特征为,所述靶材表面的算术平均粗糙度(Ra)为1.6μm以下。 | ||
地址 | 日本东京都 |