OLED器件、AMOLED器件及其制造方法

摘要

本发明实施例公开了一种OLED器件、AMOLED器件及其制造方法，属于照明器件及显示器件制造领域，用以扩大OLED器件电极功函数的调节范围，提高OLED器件的发光效率；减少AMOLED器件的制造工艺，降低生产成本。其中AMOLED器件包括，TFT有源层、像素电极层及OLED器件，所述OLED器件包括阴极层和功能层，所述像素电极层作为所述OLED器件的阳极层；或者，所述OLED器件包括阳极层和功能层，所述像素电极层作为所述OLED器件的阴极层；且所述TFT有源层、像素电极层由同一层IGZO薄膜经过构图工艺形成的。本发明实施例适用于照明器件及显示器件制造。

主权项

一种OLED器件，包括阳极层、功能层和阴极层，其特征在于，所述阴极层和/或所述阳极层由氧化物半导体铟镓锌氧IGZO材料制成。