| 发明名称 |
薄膜晶体管 |
| 摘要 |
一种薄膜晶体管，包括一源极、一漏极、一半导体层及一栅极。该漏极与该源极间隔设置。该半导体层与该源极和漏极电连接。该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置。该源极、漏极和/或栅极分别包括一碳纳米管金属复合层，该碳纳米管金属复合层包括一碳纳米管层及包覆于该碳纳米管层表面的金属层。 |
| 申请公布号 |
CN101997035B |
申请公布日期 |
2012.08.29 |
| 申请号 |
CN200910109336.0 |
申请日期 |
2009.08.14 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
刘锴;冯辰;姜开利;刘亮;范守善 |
| 分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种薄膜晶体管，包括：一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层，该半导体层与该源极和漏极电连接；一绝缘层以及一栅极，该栅极通过该绝缘层分别与该半导体层、源极及漏极绝缘设置；其特征在于，该源极、漏极和/或栅极包括一碳纳米管金属复合层，该碳纳米管金属复合层包括一碳纳米管层及包覆于该碳纳米管层表面的金属层，且所述碳纳米管层包括多个碳纳米管，所述金属层包覆于所述碳纳米管层中每个碳纳米管的表面。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
