Double-gate electronic memory cell and device with double-gate electronic memory cells

摘要

Cellule mémoire (100) comprenant :
- une zone active comportant un canal disposé entre une source et un drain,
- une première grille (114) disposée sur une première partie du canal,
- une portion d'un premier espaceur latéral (128) disposé contre un flanc latéral de la première grille, dont une partie forme une seconde grille (134) disposée sur une seconde partie du canal,
l'une des deux grilles formant une grille de mémorisation,
comportant en outre une portion d'un deuxième espaceur latéral (133) disposé contre un flanc latéral d'un bloc (111) distinct de la première grille et disposé sur la couche de semi-conducteur, le deuxième espaceur latéral étant en contact avec le premier espaceur latéral, le premier et le second espaceur latéral étant composés de matériaux similaires, ladite portion du second espaceur latéral formant une partie d'un plot de contact électrique (130) relié électriquement à la seconde grille.