Ga掺杂ZnO纳米线阵列染料敏化太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明提出了一种Ga掺杂ZnO纳米线阵列染料敏化太阳能电池（DSSC）及其制备方法。该Ga掺杂ZnO纳米线阵列染料敏化太阳能电池是由按照从下到上顺序的FTO导电玻璃衬底、ZnO缓冲薄膜层、Ga掺杂ZnO纳米线阵列层、钌配合物染料N719、I-/I3-电解液与Pt/FTO对电极组成的。通过电场辅助化学法进行Ga掺杂ZnO，使本发明的Ga掺杂ZnO纳米线阵列DSSC电池的光电转换效率达到1.53%。本发明所涉及的制备工艺简单易行，成本低，产率高，具有非常好的市场应用前景。

主权项

一种Ga掺杂ZnO纳米线阵列染料敏化太阳能电池，是由按照从下到上顺序的FTO导电玻璃衬底、ZnO缓冲层、Ga掺杂ZnO纳米线阵列层、N719染料、I‑/I3‑电解液与Pt/FTO对电极组成的三明治结构，其特征在于其中Ga掺杂ZnO纳米线阵列层是采用电场辅助化学法，在ZnO缓冲层上沉积Ga掺杂ZnO纳米线阵列构成的。