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发明名称 IMPROVED CMOS DIODES WITH DUAL GATE CONDUCTORS, AND METHODS FOR FORMING THE SAME
摘要
申请公布号 EP2020029(B1) 申请公布日期 2012.08.29
申请号 EP20070761243 申请日期 2007.04.25
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 ONSONGO, DAVID, M.;RAUSCH, WERNER;YANG, HAINING, S.
分类号 H01L29/66;H01L23/62;H01L29/739;H01L29/78 主分类号 H01L29/66
代理机构 代理人
主权项
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