| 摘要 |
1. Светоизлучающее полупроводниковое устройство, содержащее: ! - подложку; ! - первый слой из полупроводника с проводимостью n-типа, сформированный на подложке; ! - второй слой из полупроводника с проводимостью р-типа; ! - активный слой, расположенный между первым и вторым слоями; ! - проводящий слой, расположенный на втором слое, ! - первый контакт, нанесенный на подложку, ! - второй контакт, нанесенный на проводящий слой, причем подложка содержит, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, выполненное в форме усеченной инвертированной пирамиды, при этом первый, второй, активный и проводящий слои нанесены как на горизонтальные участки подложки, так и на внутренние грани отверстий. ! 2. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором количество граней упомянутых пирамид лежит в пределах от 3 до 24, длина боковой стороны основания пирамид лежит в пределах от 10 мкм до 1 мм, угол наклона боковых граней упомянутых пирамид по отношению к поверхности подложки лежит в пределах от 10° до 90°, высота отсеченной части пирамиды составляет от 5% до 50% от ее полной высоты. ! 3. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором сквозные отверстия расположены в виде двумерной решетки. ! 4. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором толщина подложки лежит в пределах от 10 мкм до 1 мм. ! 5. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором подложка выполнена из нитрида галлия. ! 6. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором подложка выполнена из карбида кремния. ! 7. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором подложка выполнена из оксида алюминия. ! 8. Све |
