Komplementäre Transistoren mit Metallgateelektrodenstrukturen mit großemεund epitaktisch hergestellten Halbleitermaterialien in den Drain- und Sourcebereichen

摘要

Bei der Herstellung komplexer Halbleiterbauelemente mit komplementären Transistoren, die eine geringe Gatelänge besitzt, werden die individuellen Transistoreigenschaften auf der Grundlage individuell bereitgestellter Halbleiterlegierungen eingestellt, etwa in Form einer Silizium/Germanium-Legierung für p-Kanaltransistoren und einer Silizium/Phosphorhalbleiterlegierung für n-Kanaltransistoren. Dazu wird ein verbessertes Hartmaskenstrukturierungsschema angewendet, um Kompatibilität mit komplexen Austauschgateverfahren zu schaffen, während unerwünschte Prozessungleichmäßigkeiten insbesondere im Hinblick auf das Entfernen einer dielektrischen Deckschicht vermieden werden.