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Hochvolt-Sperrschicht-Feldeffekttransistor — mit einer ersten Wanne (11) eines ersten Leitfähigkeitstyps in einem Substrat (10) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, — mit je einer Source (14) und einer Drain (15) in der ersten Wanne (11), wobei — Source (14) und Drain (15) jeweils vom ersten Leitfähigkeitstyp sind und höher dotiert sind als die erste Wanne (11), — mit einer zweiten Wanne (12) eines dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyps, wobei — die zweite Wanne (12) vom retrograden Typ in der ersten Wanne (11) angeordnet ist, und — mit einem Gate (16) in der zweiten Wanne (12), wobei — das Gate (16) vom zweiten Leitfähigkeitstyp ist und höher dotiert ist als die zweite Wanne (12), wobei — Source (14) und Drain (15) sich außerhalb der zweiten Wanne (12) befinden und wobei — Source (14), Gate (16) und Drain (15) durch Feldoxidbereiche (13a, 13b) voneinander beabstandet...
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