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Eine Filmausbildevorrichtung und ein Filmausbildeverfahren zum Unterdrücken eines Abfalls bei der Filmausbildegeschwindigkeit, die durch das Nebenprodukt erzeugt wird, werden vorgesehen. Eine Filmausbildevorrichtung zum Ausbilden eines Films auf einem Wafer weist eine Kammer, in der sich der Wafer befindet, ein Gaseinführelement, das konfiguriert ist, um das Rohmaterial in die Kammer einzuführen, in der sich das Rohmaterial in das Nebenproduktgas und eine Substanz umwandelt, die an der Oberfläche des Wafers durch die Reaktion an der Oberfläche des Wafers haftet, und ein Umkehrreaktionselement auf, das konfiguriert ist, um ein Rohmaterialgas zu erzeugen, indem die Reaktion des Nebenproduktgases in der Kammer bewirkt wird.
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