发明名称 Dünnschichtsolarzelle und Verfahren zur Herstellung derselben
摘要 Bereitgestellt werden Dünnschichtsolarzellen und Verfahren zur Herstellung derselben. Die Solarzelle kann ein Substrat und eine Zelle, umfassend eine amorphe Schicht mit einem kontinuierlich abgestuften Wasserstoffgehalt, angeordnet auf dem Substrat, einen n-Halbleiter, eine p-Halbleiterschicht, eine Metallelektrode angrenzend an den n-Halbleiter, und eine transparente Elektrode angrenzend an die p-Halbleiterschicht umfassen. Der Wasserstoffgehalt der amorphen intrinsischen Halbleiterschicht nimmt auf eine kontinuierliche Art und Weise von einer ersten Kontaktfläche, auf die Licht einfällt, zu einer zweiten Kontaktfläche gegenüber der ersten Kontaktfläche ab, und die ersten und zweiten Kontaktflächen sind gegenüberliegende Oberflächen der amorphen intrinsischen Halbleiterschicht, die in Kontakt mit der p- bzw. n-Halbleiterschicht sind.
申请公布号 DE102012101448(A1) 申请公布日期 2012.08.23
申请号 DE201210101448 申请日期 2012.02.23
申请人 ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE 发明人 YUN, SUN-JIN;LIM, JUNG-WOOK
分类号 H01L31/075;H01L31/0392;H01L31/065;H01L31/076;H01L31/18 主分类号 H01L31/075
代理机构 代理人
主权项
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