Integrierter Entkopplungskondensator, bei welchem leitfähige Durchkontaktierungen durch das Substrat verwendet werden

摘要

Bei einem Kondensator (180) in einem Halbleitersubstrat (10) wird eine leitfähige Durchkontaktierung durch das Substrat (Through-Substrate Via, TSV) (80) als eine innere Elektrode und eine säulenförmige dotierte Halbleiterzone als eine äußere Elektrode verwendet. Der Kondensator (80) stellt eine große Entkopplungskapazität auf einer kleinen Fläche bereit und beeinflusst nicht die Schaltungsdichte oder einen 3DSi-Strukturentwurf. In dem Halbleitersubstrat (10) können weitere leitfähige TSVs bereitgestellt sein, um für eine elektrische Verbindung für Stromversorgungen und eine Signalübertragung durch dieses hindurch zu sorgen. Der Kondensator (180) weist eine niedrigere Induktivität als ein herkömmliches Kondensatorfeld mit vergleichbarer Kapazität auf, wodurch in dem Stromversorgungssystem gestapelter Halbleiterchips eine Verringerung des Hochfrequenzrauschens ermöglicht wird.