发明名称 |
一种半导体装置及形成该半导体装置的方法 |
摘要 |
本发明关于一种半导体装置及形成该半导体装置的方法。该具低能带间隙层的半导体装置包括:含一半导体材质;一栅介电层,位于低能带间隙层上,其中低能带间隙层的能阶低于硅能阶;一栅极,覆盖于栅介电层上;一与栅介电层邻接的第一源/漏极区,其中第一源/漏极区具有一第一传导特性;一与栅介电层邻接的第二源/漏极区,其中第二源/漏极区具有一与第一传导特性相反的第二传导特性。低能带间隙层位于第一及第二源/漏极区间且为无杂质或具有小于1x1015/cm-3的掺杂浓度杂质,第一源/漏极区及第二源/漏极区的能阶大于低能带间隙层。本发明的半导体装置使一p-通道及n-通道的场效电晶体装置均衡的效能,并降低漏电流,改进次临界摆幅及开启电流的特性。 |
申请公布号 |
CN101931000B |
申请公布日期 |
2012.08.22 |
申请号 |
CN201010248413.3 |
申请日期 |
2008.01.24 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
克里希那布瓦卡;后藤贤一 |
分类号 |
H01L29/739(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/739(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
一种半导体装置,其特征在于包括:一低能带间隙层,包含一半导体材质,其中该低能带间隙层之能阶系低于硅能阶;一闸介电层,位于该低能带间隙层上;一闸极,覆盖于该闸介电层上;一与该闸介电层邻接之一第一源/汲极区,其中该第一源/汲极区系具有一第一传导特性;一与该闸介电层邻接之一第二源/汲极区,其中该第二源/汲极区系具有一与该第一传导特性相反之一第二传导特性,且其中该低能带间隙层系位于该第一及该第二源/汲极区之间,该第一源/汲极区及该第二源/汲极区之能阶大于该低能带间隙层,其中该低能带间隙层系为无杂质或具有小于1x1015/cm‑3的掺杂浓度杂质;以及一第一及一第二重掺杂源/汲极延伸区,其中该第一重掺杂源/汲极延伸区位于该第一源/汲极区及该低能带间隙层之间,该第二重掺杂源/汲极延伸区位于该第二源/汲极区及该低能带间隙层之间,且该第一及该第二重掺杂源/汲极延伸区之深度小于各该第一及第二源/汲极区之深度。 |
地址 |
中国台湾 |