发明名称 高压直流发光二极管及其制备方法
摘要 本发明公开了高压直流发光二极管及其制备方法,高压直流发光二极管包括多颗LED芯粒,相邻LED芯粒之间通过隔离通道完全隔离,多颗LED芯粒串联连接,每颗LED芯粒的发光面积相等且形状相同,每个芯粒的p型正极与n型负电极尺寸和形状相同。所述制备方法根据所述结构设计光刻模板,选择LED外延片,通过半导体平面工艺制成高压直流发光二极管。本发明的LED芯粒发光面积均匀、正电极与负电极对多颗LED芯粒发光面积无影响、正负电极连接线不影响芯粒的发光面积、每颗芯粒电流密度均等,避免多颗LED芯粒发光面积不均匀造成出光效率不相同、产生热量不相同等问题,具有稳定性及出光率高等优点。
申请公布号 CN102646694A 申请公布日期 2012.08.22
申请号 CN201210117670.2 申请日期 2012.04.20
申请人 华南师范大学 发明人 郭志友;孙慧卿;黄鸿勇;王度阳;朱明军
分类号 H01L27/15(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L27/15(2006.01)I
代理机构 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人 江裕强;何淑珍
主权项 高压直流发光二极管,其特征在于包括多颗LED芯粒,相邻LED芯粒之间通过隔离通道完全隔离,多颗LED芯粒串联连接, 每颗LED芯粒的发光面积相等且形状相同,每个芯粒的p型正极与n型负电极尺寸和形状相同;多颗LED芯粒串联后的两端中一端与负电极焊盘(8)连接,另一端与正电极焊盘(9)连接。
地址 510275 广东省广州市天河区中山大道西55号
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