一种LED芯片及其相应的制作方法

摘要

本发明提出一种LED芯片，至少包括：外延层，所述外延层包括N型层、位于所述N型层上的发光层、及位于所述发光层上的P型层；金属功能层，所述金属功能层位于所述P型层上；银迁移阻挡层，所述银迁移阻挡层位于所述P型层上，且位于所述金属功能层外围。本发明还提供了LED芯片的制作方法，以解决反射镜层的扩散和电迁移，改善LED的可靠性。

主权项

一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，在所述衬底的表面上形成外延层，所述外延层由下至上依次沉积包含有N型层、发光层和P型层；刻蚀P型层、发光层，形成由上至下贯穿P型层、发光层、直到N型层的台阶；沉积绝缘材料覆盖所述台阶侧面、所述N型层和所述P型层，通过刻蚀P型层表面的绝缘材料形成银迁移阻挡层和窗口，每个窗口底部暴露出P型层；在所述每个窗口形成金属功能层。