| 发明名称 | 多层膜形成方法及装置 | ||
| 摘要 | 一种多层膜形成方法，使得在不进行蚀刻处理的情况下，能够形成包括复合氧化层并具有想要的元件形状的多层膜。该方法将第一掩模(30A)定位于基片(S)上方，通过溅射粘接层靶材(T1)和下部电极层靶材(T2)，利用所述第一掩模在所述基片上形成粘接层(36)和下部电极层(37)，并且将由陶瓷材料形成的第二掩模(30B)定位于所述下部电极层的上方，通过溅射氧化物层靶材(T3)，利用所述第二掩模在所述下部电极层上叠置复合氧化物层(38)，将第三掩模(30C)定位于所述复合氧化物层的上方，并且通过溅射上部电极层靶材(T4)，利用所述第三掩模在所述复合氧化物层上叠置上部电极层(39)。 | ||
| 申请公布号 | CN101583735B | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN200780049467.3 | 申请日期 | 2007.12.20 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 木村勲;神保武人;菊地真;西冈浩;邹红罡 |
| 分类号 | C23C14/04(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L41/22(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人 | 段迎春 |
| 主权项 | 一种多层膜形成方法，其特征在于：将由金属形成的第一掩模定位于基片上方；通过溅射第一靶材，利用所述第一掩模在所述基片上方形成下部电极层；将由氧化铝形成的第二掩模定位于所述下部电极层的上方；通过溅射第二靶材，利用所述第二掩模在所述下部电极层上叠置复合氧化物层；将由金属形成的第三掩模定位于所述复合氧化物层的上方；以及通过溅射第三靶材，利用所述第三掩模在所述复合氧化物层上叠置上部电极层。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县 | ||