| 发明名称 | NMOS晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种NMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底分为隔离区和有源区；在有源区的半导体衬底内形成掺杂阱；在有源区的半导体衬底上依次形成栅介质层与多晶硅栅极，所述栅介质层与多晶硅栅极构成栅极结构；对栅极结构进行再氧化；以栅极结构为掩模，在栅极两侧的半导体衬底内进离子注入，形成源/漏极延伸区；在栅极结构两侧形成侧墙后，在半导体衬底内形成Vt注入区；在栅极结构及侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏极。本发明使位于栅极下的沟道区域的Vt注入区离子分布均匀，防止反短沟道效应(RSCE)。 | ||
| 申请公布号 | CN102074476B | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN200910199224.9 | 申请日期 | 2009.11.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 杨勇胜 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种NMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底分为隔离区和有源区；在有源区的半导体衬底内形成掺杂阱；在有源区的半导体衬底上依次形成栅介质层与多晶硅栅极，所述栅介质层与多晶硅栅极构成栅极结构；对栅极结构进行再氧化；以栅极结构为掩模，在栅极结构两侧的半导体衬底内进行离子注入，形成源/漏极延伸区；在栅极结构两侧形成侧墙后，于栅极结构及侧墙两侧的半导体衬底内注入离子，形成阈值电压调整注入区；在栅极结构及侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||