| 发明名称 | 有机场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在具有导电体-绝缘体-半导体结构的有机场效应晶体管中，半导体层由有机化合物制成，且绝缘体层由通过聚合或共聚2-氰乙基丙烯酸酯和/或2-氰乙基甲基丙烯酸酯而获得的聚合物制成。 | ||
| 申请公布号 | CN101383399B | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN200810173752.2 | 申请日期 | 2008.03.26 |
| 申请人 | 国立大学法人大阪大学;信越化学工业株式会社 | 发明人 | 谷口正辉;川合知二;川口英幸;福井育生 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王健 |
| 主权项 | 制造有机场效应晶体管的方法，包括以下步骤：将聚合物的有机溶剂溶液涂布到导电体层形式的栅极上；干燥所涂布的聚合物溶液以在导电体层上形成绝缘体层；和在绝缘体层上设置半导体层，所述聚合物通过聚合具有式(1)的单体：CH2＝CHCOO‑(CH2)2‑CN (1)和/或具有式(2)的单体：CH2＝C(CH3)COO‑(CH2)2‑CN (2)而获得，所述聚合物包含有摩尔比范围为100∶0‑50∶50的式(1)和式(2)的单体。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||