闪存器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种闪存器件的制造方法，其中在形成栅极线之后，在所述栅极线之间形成高度至少与浮置栅极高度相同的HDP氧化物膜。使用氮化物膜在余下的空间中形成间隙壁。因此，可以降低浮置栅极之间的电容。在进行离子注入工艺之后，可以除去间隙壁。因此可以保证器件的接触容限。

主权项

一种闪存器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：在半导体衬底上形成具有侧壁的栅极线；在包括所述栅极线的所述半导体衬底上方形成缓冲氧化物膜；在所述栅极线之间的单元区域中形成HDP氧化物膜，其中所述HDP氧化物膜的高度至少与所述栅极线的浮置栅极高度一样；和在所述栅极线的暴露侧壁上形成氮化物膜间隙壁。