发明名称 存储单元以及使用此存储单元的存储器阵列
摘要 本发明公开了一存储单元,包含第一开关元件、第二开关元件以及电容。第一开关元件包含:控制端,耦接至选择线,该第一开关元件由该选择线控制;第一端,耦接至平行在该选择线的位元线。第二开关元件包含:第一端,耦接在该第一开关元件的第二端;控制端,耦接在垂直该位元线以及该选择线的字元线,该第二开关元件被该字元线控制。电容具有一第一端以及一第二端,第一端耦接在该第二开关元件的该第二端,第二端耦接在一预定电压位准,该位元线用以自该电容读取数据或写入数据至该电容。本发明提供一种可避免位元线彼此干扰的存储器阵列,以及此存储器阵列使用的存储单元。
申请公布号 CN102646445A 申请公布日期 2012.08.22
申请号 CN201210037266.4 申请日期 2012.02.17
申请人 南亚科技股份有限公司 发明人 丁达刚
分类号 G11C11/4094(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I 主分类号 G11C11/4094(2006.01)I
代理机构 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人 江耀纯
主权项 一存储单元,其特征在于,包含:第一开关元件,包含:控制端,耦接至选择线,该第一开关元件由该选择线控制以开启或关闭;第一端,耦接至平行在该选择线的位元线;以及第二端;第二开关元件,包含:第一端,耦接在该第一开关元件的该第二端;控制端,耦接在垂直该位元线以及该选择线的字元线,该第二开关元件被该字元线控制以导通或关闭;以及第二端;以及电容,具有第一端以及第二端,该第一端耦接在该第二开关元件的该第二端,该第二端耦接在预定电压位准,该位元线用以自该电容读取数据或写入数据至该电容。
地址 中国台湾桃园县