| 发明名称 | 用于制造NMOS半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于制造NMOS半导体器件的方法，包括下列步骤：一种用于制造NMOS半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：提供半导体前端器件，包括核心NMOS器件和I/ONMOS器件；在核心NMOS器件和I/ONMOS器件上形成氧化层和应力层；在核心NMOS器件上形成掩膜层，并去除I/ONMOS器件上的应力层；去除核心NMOS器件上的掩膜层，并对核心NMOS器件进行退火；去除核心NMOS器件上的应力层；以及去除核心NMOS器件和I/ONMOS器件上的氧化层。根据本发明的方法，能够防止在制造NMOS器件时降低I/ONMOS器件热载流子注入的可靠性，从而达到半导体器件的寿命标准，并提高良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN102646636A | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN201110041483.6 | 申请日期 | 2011.02.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 甘正浩 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种用于制造NMOS半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：提供半导体前端器件，包括核心NMOS器件和I/O NMOS器件； 在核心NMOS器件和I/O NMOS器件上形成氧化层和应力层；在核心NMOS器件上形成掩膜层，并去除I/O NMOS器件上的应力层； 去除核心NMOS器件上的掩膜层，并对核心NMOS器件进行退火；去除核心NMOS器件上的应力层；以及去除核心NMOS器件和I/O NMOS器件上的氧化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||