发明名称 一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置
摘要 本发明提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置。阵列基板的显示区域包括栅线、数据线以及多个像素单元,非显示区域包括栅焊盘和数据焊盘,像素单元包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极,像素电极与薄膜晶体管的漏电极相连接;公共电极包括位于像素电极上方的第一公共电极和位于数据线上方的第二公共电极;公共电极所在的层与像素电极所在的层之间设置有保护膜;像素电极和数据线之间、薄膜晶体管与保护膜之间设置有无机绝缘膜和有机绝缘膜,无机绝缘膜形成在数据线和薄膜晶体管的源极、漏极和沟道区域的半导体层的上方,有机绝缘膜位于无机绝缘膜的上方。本发明能够降低数据线上的信号延迟,并能够防止高温下TFT中漏电流的产生。
申请公布号 CN102645808A 申请公布日期 2012.08.22
申请号 CN201210119008.0 申请日期 2012.04.20
申请人 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 发明人 金玟秀;邓立赟;周纪登
分类号 G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 G02F1/1362(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 黄灿;赵爱军
主权项 一种阵列基板,包括显示区域和非显示区域,所述显示区域包括栅线、数据线以及位于栅线和数据线之间的多个像素单元,所述非显示区域包括栅焊盘和数据焊盘,其中,所述像素单元包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极,所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏电极相连接,其特征在于,所述公共电极包括位于像素电极上方的第一公共电极和位于数据线上方的第二公共电极;所述公共电极所在的层与所述像素电极所在的层之间设置有保护膜;所述像素电极和所述数据线之间、以及所述薄膜晶体管与所述保护膜之间设置有无机绝缘膜和有机绝缘膜,所述无机绝缘膜形成在所述数据线和所述薄膜晶体管的源极、漏极和沟道区域的半导体层的上方,所述有机绝缘膜位于所述无机绝缘膜的上方。
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