闭环MOCVD沉积控制

摘要

提供一种用来监视和控制用于组合工具的基板处理参数的方法和装置，所述组合工具利用化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)沉积。在一个实施方式中，金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺用于在处理室内在多个基板上沉积III族氮化物膜。闭环控制系统执行原位监视III族氮化物膜生长速率，并且根据需要来调整膜生长参数以保持目标生长速率。在另一实施方式中，闭环控制系统对于一个或多个膜沉积系统的多个处理室执行原位监视膜生长参数。

主权项

一种基板处理系统，所述基板处理系统包括：处理室，在所述处理室中III‑V族膜被沉积在基板上，所述处理室包括：一个或多个壁，形成处理空间；喷头组件，限定所述处理空间的顶部部分；可旋转基板载体，位于所述喷头组件下方并限定所述处理空间的底部部分，其中所述基板载体具有用于保持基板的多个凹槽；一个或多个计量工具，适于测量设置于所述基板载体上的基板的表面特性，所述一个或多个计量工具使用光致发光光谱法或频带边缘温度测定法；和系统控制器，用以根据由所述一个或多个计量工具获取的测量结果来调整所述处理室的工艺参数，以自动校正处理操作内或从一个处理操作到另一个处理操作的工艺参数设定点的偏差。