发明名称 原位自生长纳米碳复合材料的制备方法
摘要 一种电化学材料技术领域的原位自生长纳米碳复合材料的制备方法。包括如下步骤:原位自生长纳米碳基体材料的制备;碳基体材料表面处理;配制金属氧化物前驱体溶液;将步骤(2)制备得到的碳基体材料0.2g加入到步骤(3)配制的前驱体溶液中,经超声处理、冲洗、干燥,在氮气保护下烧结,得到原位自生长纳米碳复合材料。本发明利用金属盐处理活性碳材料,通过高温处理后,碳材料中原位生长具有石墨层状结构的纳米碳。然后,利用超声反应的方法使纳米金属氧化物均匀地生成并分布在碳材料的表面。本发明利用廉价的活性炭,成本低,工艺简单,易于商业化。
申请公布号 CN101872651B 申请公布日期 2012.08.22
申请号 CN201010204539.0 申请日期 2010.06.22
申请人 上海交通大学 发明人 朱申敏;张荻;刘庆雷;李尧
分类号 H01B1/04(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01G9/042(2006.01)N 主分类号 H01B1/04(2006.01)I
代理机构 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人 郭国中
主权项 一种原位自生长纳米碳复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)原位自生长纳米碳基体材料的制备,方法如下:a、将活性碳材料1.0‑10g加入到2.2‑100ml的水以及0.55‑10g Fe(NO3)3·9H2O的水溶液中研磨均匀,干燥;b、将上述干燥好的混合物放入烧结炉中进行热处理:先升温到450℃,保温半个小时,再升温到700‑1000℃,保温一个小时,自然降温到室温;c、将上述材料放入10‑15%的盐酸溶液中,50℃搅拌5h,然后过滤,80℃干燥,得到的固体物质即为原位自生长纳米碳基体材料;(2)碳基体材料表面处理;所述的表面处理,是指:为了让金属氧化物均匀分散在碳材料的表面,复合材料制备前,碳基体材料表面用浓硝酸处理,80℃回流3h,然后80℃干燥,即得到表面羧基化的碳基体材料;(3)配制金属氧化物前驱体溶液;(4)将步骤(2)制备得到的碳基体材料0.2g加入到步骤(3)配制的前驱体溶液中,经超声处理、冲洗、干燥,在氮气保护下烧结,得到原位自生长纳米碳复合材料。
地址 200240 上海市闵行区东川路800号