发明名称 |
超结纵向双扩散金属氧化物半导体管 |
摘要 |
一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管,包括一个或一个以上的管单元,管单元包括漏极金属,在漏极金属上设有作为漏区的重掺杂N型硅衬底,在硅衬底上设N型掺杂外延层,在外延层中设有P型掺杂柱状半导体区,在柱状半导体区上设有P型掺杂半导体体区,且体区位于N型掺杂外延层内,在体区中设有N型重掺杂半导体源区和P型重掺杂半导体接触区,在源区和接触区以外的N型掺杂外延层表面区域设有栅氧化层,在栅氧化层上方设有多晶硅栅,在多晶硅栅的上方及两侧设有氧化层,在源区和接触区上连接有源极金属,P型重掺杂半导体接触区左右两侧的突起部分将N型重掺杂半导体源区分割为三个不连通的块体,且N型重掺杂半导体源区呈现“品”字形状。 |
申请公布号 |
CN202394980U |
申请公布日期 |
2012.08.22 |
申请号 |
CN201120391574.8 |
申请日期 |
2011.10.15 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
孙伟锋;祝靖;张龙;曹鹏飞;钱钦松;陆生礼;时龙兴 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
南京天翼专利代理有限责任公司 32112 |
代理人 |
汤志武 |
主权项 |
一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管,包括一个或一个以上的管单元,所述的管单元包括:漏极金属(1),在漏极金属(1)上设有作为漏区的重掺杂N型硅衬底(2),在重掺杂N型硅衬底(2)上设有N型掺杂外延层(3),在N型掺杂外延层(3)中设有一排P型掺杂柱状半导体区(4),在P型掺杂柱状半导体区(4)上设有P型掺杂半导体体区(5),且P型掺杂半导体体区(5)位于N型掺杂外延层(3)内,在P型掺杂半导体体区(5)中设有N型重掺杂半导体源区(6)和P型重掺杂半导体接触区(7),在N型重掺杂半导体源区(6)和P型重掺杂半导体接触区(7)以外的N型掺杂外延层(3)表面区域设有栅氧化层(8),在栅氧化层(8)上方设有多晶硅栅(9),在多晶硅栅(9)的上方及两侧设有氧化层(10),在N型重掺杂半导体源区(6)和P型重掺杂半导体接触区(7)上连接有源极金属(11),其特征在于,P型重掺杂半导体接触区(7)左右两侧的突起部分将N型重掺杂半导体源区(6)均分割为三个不连通的块体,且N型重掺杂半导体源区(6)呈现“品”字形状。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 |