一种化学水浴沉积制备In₂S₃薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种化学水浴沉积制备In2S3薄膜的方法。镀膜基底先在铬酸洗液中浸泡后，用去离子水冲洗；再依次在丙酮和乙醇中用超声波振荡清洗5～20min；最后用去离子水冲洗后，在120℃下保温烘干待用；将镀膜基底垂直置于配置好的沉积膜水溶液中；再将盛有所述溶液的容器放入温度为70℃的恒温水浴槽中沉积薄膜；沉积薄膜在去离子水中浸泡去除表面残留后置于空气中干燥。本发明与背景技术相比，用化学水浴沉积法制备出的In2S3薄膜化学成分稳定，结构单一，工艺参数可控性强，制备工艺及设备简单，效率较高。可为FeS2薄膜光电转换材料缓冲层的研究提供更多选择。

主权项

一种化学水浴沉积制备In2S3薄膜的方法，其特征在于该方法的步骤如下：1）镀膜基底为载玻片；2）镀膜基底在铬酸洗液中浸泡后，用去离子水冲洗；3）再依次在丙酮和乙醇中用超声波振荡清洗5～20min；4）最后用去离子水冲洗后，在120℃下保温烘干待用；5）采用去离子水配制沉积膜水溶液；6）将镀膜基底垂直置于配置好的沉积膜水溶液中；7）再将盛有所述溶液的容器放入温度为70℃的恒温水浴槽中沉积薄膜；8）沉积薄膜在去离子水中浸泡15min去除表面残留物质后置于空气中干燥。