深沟槽绝缘结构的制法

摘要

本发明提供一种深沟槽绝缘结构的制法，包括以下步骤：提供一半导体基材；形成一第一沟槽于一半导体基材中；顺应性地形成一第一衬层于第一沟槽的侧壁与底部；形成一第一填充层于第一衬层之上并填满第一沟槽；于半导体基材与第一沟槽之上形成一磊晶层；形成一第二沟槽穿过该磊晶层，且位于第一沟槽之上；顺应性地形成一第二衬层于第二沟槽的侧壁与底部；以及形成一第二填充层于第二衬层之上并填满第二沟槽。本发明的深沟槽绝缘结构的制法，通过两次的蚀刻步骤，使深沟槽的深度更深，且改善深沟槽的轮廓；通过两次的填充步骤，降低回填衬层与填充层的困难度，提升深沟槽制程的产量。

主权项

一种深沟槽绝缘结构的制法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体基材；形成一第一沟槽于该半导体基材中；顺应性地形成一第一衬层于该第一沟槽的侧壁与底部；形成一第一填充层于该第一衬层之上并填满该第一沟槽；于该半导体基材与该第一沟槽之上形成一磊晶层；形成一第二沟槽穿过该磊晶层，且位于该第一沟槽之上；顺应性地形成一第二衬层于该第二沟槽的侧壁与底部；以及形成一第二填充层于该第二衬层之上并填满该第二沟槽。