| 发明名称 | 具有细微图案的半导体元件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一实施例提供一种具有细微图案的半导体元件的制备方法，其包含下列步骤：提供一半导体基板；形成一第一光致抗蚀剂层于该半导体基板上；形成一第二光致抗蚀剂层于该第一光致抗蚀剂层上；以及进行一曝光工艺以改变该第一光致抗蚀剂层的至少一第一区域的状态并改变该第二光致抗蚀剂层的至少一第二区域的状态。公知双重图案化技术必须进行二次曝光工艺，需要非常精密的对位技术；相对地，本发明的实施例仅需要进行一次曝光工艺即可实现双重图案化技术，因此不需要精密的对位技术。 | ||
| 申请公布号 | CN102646576A | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN201110097429.3 | 申请日期 | 2011.04.15 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 危明康;黄沛霖;王逸铭;曾盈崇 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 郑小军;冯志云 |
| 主权项 | 一种具有细微图案的半导体元件的制备方法，包含下列步骤：提供一半导体基板；形成一第一光致抗蚀剂层于该半导体基板上；形成一第二光致抗蚀剂层于该第一光致抗蚀剂层上；以及进行一曝光工艺以改变该第一光致抗蚀剂层的至少一第一区域的状态并改变该第二光致抗蚀剂层的至少一第二区域的状态。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||