| 发明名称 | 半导体设备及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体设备及其制造方法。按照本发明的一个方面，半导体设备包括：在一个衬底上的象素部分，包括至少一个第一n沟道型薄膜晶体管和至少一个电镀的源布线，该n沟道型薄膜晶体管包括在一个绝缘表面上的一个半导体层，在该半导体层上的一个绝缘薄膜和在该绝缘薄膜上的一个栅极；一个在该衬底上的驱动电路，包括至少第二和第三n沟道薄膜晶体管；一个在该衬底上的电镀的端子部分。 | ||
| 申请公布号 | CN102646685A | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN201210110904.0 | 申请日期 | 2001.12.11 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;小山润;桑原秀明;藤川最史 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 朱海煜 |
| 主权项 | 一种半导体设备，包括：在衬底上的像素部分，包括至少一个p沟道薄膜晶体管和至少一个电镀的源布线：在所述衬底上的驱动电路，包括至少第二和第三p沟道薄膜晶体管；以及在所述衬底上的电镀的端子部分。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||