具有纹理化沟道和栅极的平面型MOSFET

摘要

本发明公开了一种包括半导体衬底的半导体器件，其中所述半导体衬底具有沟道区以及形成于所述沟道区的相对侧上的相应的源极区和漏极区。所述沟道区包括至少一个孔隙。在所述源极区和漏极区之间的半导体衬底上形成栅极，并且所述栅极包括由所述至少一个孔隙中的相应孔隙接收的至少一个引脚。将介电层安置在所述栅极和所述半导体衬底之间。

主权项

一种半导体器件，包含：半导体衬底，其具有沟道区和形成于所述沟道区的相对侧上的相应的源极区和漏极区，所述沟道区包括至少一个孔隙；形成于所述源极区和漏极区之间的半导体衬底上的栅极，所述栅极包括在所述至少一个孔隙中的相应孔隙中接收的至少一个引脚；以及介于所述栅极和所述半导体衬底之间的介电层。