轻掺杂漏极的形成方法

摘要

本发明公开了一种轻掺杂漏极的形成方法，包括步骤：提供表面至少形成一个栅极结构的衬底；以所述栅极结构为掩膜，对所述衬底进行非晶化处理，形成非晶化区域；对所述非晶化区域进行磷注入处理；对所述非晶化区域进行共注入处理；进行快速热退火处理，在所述栅极结构两侧形成轻掺杂漏极。可以在降低器件的热预算的同时，维持较浅的结深，得到较好的器件电性能，对小尺寸器件的制作尤其有利。

主权项

一种轻掺杂漏极的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供表面至少形成一个栅极结构的衬底；以所述栅极结构为掩膜，对所述衬底进行非晶化处理，形成非晶化区域；对所述非晶化区域进行磷注入处理；对所述非晶化区域进行共注入处理；进行快速热退火处理，在所述快速热退火处理过程中，温度升高达到预先设定的稳定温度，稳定预先设定长度的时间，之后温度继续升高直至达到设定的峰值温度，在所述栅极结构两侧形成轻掺杂漏极。