一种用于厚膜光刻胶的清洗剂

摘要

本发明公开了一种用于厚膜光刻胶的清洗剂。该清洗剂包含二甲基亚砜，氢氧化钾，醇胺，芳基醇，聚丙烯酸类缓蚀剂和缩水剂。本发明的光刻胶清洗剂可以在较大的温度范围内(45～90℃)使用，用于除去半导体制造工艺中金属、金属合金或电介质等基材上的厚度的厚膜光刻胶(光阻)，特别是适合用于除去厚度在100μm以上的高交联度的负性光刻胶。同时，该光刻胶清洗剂对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料具有极弱的腐蚀性，不会对晶片图案和基材造成损坏，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

主权项

一种用于厚膜光刻胶的清洗剂，包含二甲基亚砜，氢氧化钾，醇胺，芳基醇，聚丙烯酸类缓蚀剂和缩水剂，其中：所述的缩水剂为选自N，N′‑二环己基碳二亚胺、N，N′‑二异丙基碳二亚胺、N，N′‑羰基二咪唑、N，N′‑羰基二四氢吡咯、N，N′‑羰基二(1，2，4‑三氮唑)、N，N′‑二异丙基乙胺、N，N′‑二琥珀酰亚胺基碳酸酯、芴甲氧羰酰琥珀酰亚胺、1‑羟基苯并三氮唑、1‑羟基‑7‑偶氮苯并三氮唑、苯并三氮唑‑N，N，N′，N′‑四甲基脲、4，5‑二氰基咪唑、N‑羟基‑5‑降冰片烯‑2，3‑二酰亚胺、3‑羟基‑1，2，3‑苯并三嗪‑4(3H)‑酮、N‑羟基琥珀酰亚胺和N‑羟基硫代琥珀酰亚胺中的一种或多种；其中：所述的二甲基亚砜的含量为质量百分比1～97％；所述的氢氧化钾的含量为质量百分比0.1～5.0％；所述的醇胺的含量为质量百分比1～50％；所述的芳基醇的含量为质量百分比1～50％；所述的聚丙烯酸类缓蚀剂的含量为质量百分比0.01～5.0％；所述的缩水剂的含量为质量百分比0.01～20％。