发明名称 熔料保温盖与半导体长晶炉
摘要 本创作提供一种熔料保温盖与使用该熔料保温盖的半导体长晶炉,该半导体长晶炉包括有一坩锅、至少一加热器、至少一绝热单元、一热屏蔽及该熔料保温盖;该加热器设置于坩锅的邻近周边,该绝热单元包覆于加热器与该坩锅外侧,该热屏蔽设置于坩锅上方,该热屏蔽内定义有一容置通道;该熔料保温盖位于容置通道内呈往覆移动状态,该些板体以其一面朝向坩锅;所以,该熔料保温盖用以反射热辐射能量,降低热能散失。
申请公布号 CN202390563U 申请公布日期 2012.08.22
申请号 CN201120462100.8 申请日期 2011.10.31
申请人 昆山中辰矽晶有限公司 发明人 王志德;朱彦勋
分类号 C30B15/00(2006.01)I;C30B15/10(2006.01)I;C30B15/14(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 C30B15/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种熔料保温盖,其包括:复数个板体;至少一支撑件,该支撑件串接该复数个板体,使该些板体的面与面相间隔而对应设置;所以,该复数个板体用以反射热辐射能量。
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