发明名称 检查缺陷的方法、进行缺陷检查后的晶圆或者使用该晶圆制造的半导体元件、晶圆或者半导体元件的质量管理方法以及缺陷检查装置
摘要 一种检查缺陷的方法、进行缺陷检查后的晶圆或者使用该晶圆制造的半导体元件、晶圆或者半导体元件的质量管理方法以及缺陷检查装置。通过偏振器(8)对来自光源装置(7)的光赋予了偏振光后向被检查体(W)倾斜入射,对其散射光使用配置在暗视场且具有偏振光分离元件(12)的CCD摄像装置(10)进行拍摄,基于得到的P偏振光分量图像与S偏振光分量图像,求出偏振光分量强度、和作为它们的比的偏振光方向。根据通过在未对被检查体施加应力的状态下与对被检查体施加静荷重而在被检查体的光照射侧的面上施加了作为拉伸应力的静应力的状态下的拍摄而得到的图像,求出偏振光分量强度、偏振光方向,通过与规定的阈值进行对比来进行缺陷的检测、分类。能够高精度地检测被检查体的内部析出物、空洞缺陷、表面的异物或者划伤、表层的裂缝的缺陷,能够通过确定缺陷的种类对缺陷进行分类。通过对半导体元件制作用晶圆检查缺陷,进行质量管理,使得不良品大幅度地减少。
申请公布号 CN102648405A 申请公布日期 2012.08.22
申请号 CN201080052086.2 申请日期 2010.11.19
申请人 独立行政法人产业技术综合研究所 发明人 坂井一文;野中一洋;山口信介
分类号 G01N21/956(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I 主分类号 G01N21/956(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 舒艳君;李伟
主权项 一种检查缺陷的方法,其是在未对板状的被检查体施加静应力的状态下和对板状的被检查体施加了静应力的状态下,通过偏振器对能够渗透该被检查体内的波长的光赋予了偏振光的基础上,向该被检查体的面照射,并对其散射光进行检测,从而检查被检查体的缺陷的方法,该检查缺陷的方法的特征在于,包括以下步骤:在未对上述被检查体施加静应力的状态下,在上述被检查体的面上的位置处,将赋予了偏振光的光对该面倾斜照射,将由此产生的散射光通过偏振光分离单元而分离成P偏振光的分量光和S偏振光的分量光,并求出各分量光的强度以及作为它们的比的偏振光方向;在与未施加静应力的状态下照射了光的位置相同的上述被检查体的面上的位置处,在对上述被检查体施加了静应力的状态下,将赋予了偏振光的光对该面倾斜照射,将由此产生的散射光通过上述偏振光分离单元而分离为P偏振光的分量光与S偏振光的分量光,并求出各分量光的强度以及作为它们的比的偏振光方向;以及通过对在未对上述被检查体施加静应力的状态下所求出的各分量光的强度以及偏振光方向和在对上述被检查体施加了静应力的状态下所求出的各分量光的强度以及偏振光方向、与规定的阈值进行对比,来进行缺陷的检测和/或分类,其中,在对上述被检查体施加静应力时,对上述被检查体施加静荷重,以使得在照射赋予了偏振光的光的一侧的上述被检查体的面上产生拉伸应力、或者对上述被检查体整体产生拉伸应力。
地址 日本东京都