| 发明名称 | 一种TFT阵列基板 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种TFT阵列基板，其包括：基板(1)和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极(2)、半导体层(5)、源电极(8)和漏电极(9)，所述半导体层(5)相邻的图层采用复合层结构，所述复合层结构包括由能够避免半导体层(5)失氧的绝缘材料制成的与半导体层(5)接触的保护层和由易刻蚀的绝缘材料制成的绝缘层。本发明TFT阵列基板既能提高TFT的稳定性，又适合TFT阵列基板的大批量生产。 | ||
| 申请公布号 | CN102646676A | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN201110344454.7 | 申请日期 | 2011.11.03 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 刘翔;薛建设 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 罗建民;陈源 |
| 主权项 | 一种TFT阵列基板，包括：基板(1)和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极(2)、半导体层(5)、源电极(8)和漏电极(9)，其特征在于，所述半导体层(5)相邻的图层采用复合层结构，所述复合层结构包括由能够避免半导体层(5)失氧的绝缘材料制成的与半导体层(5)接触的保护层和由易刻蚀的绝缘材料制成的绝缘层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||