单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构

摘要

本发明是单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构，单晶InP衬底上生长InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构，在半绝缘单晶InP衬底生长InP缓冲层；在InP缓冲层上生长重n型掺杂InP次集电极层；在重n型掺杂InP次集电极层上生长轻n型掺杂InP集电极层；在轻n型掺杂InP集电极层上生长重p型掺杂GaAsSb基极层；在GaAsSb基极层上生长n型掺杂的GaAsSb/InP超晶格过渡层；在超晶格结构层上生长n型InP发射极；在InP发射极上生长重掺杂n型InP接触层。优点：简化了材料结构设计；从宽带隙InP发射极一侧，采用超晶格结构可以使能带平滑过渡到基极一侧，消除了发射极基极导带势垒尖峰，使电子平滑过渡到基极；II型的带结构，消除了基极集电极之间的导带势垒尖峰。

主权项

1.单晶InP衬底上生长InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构，其特征是半绝缘单晶InP衬底（1）上是一层InP缓冲层（2）；InP缓冲层（2）上是次集电极层（3）；次集电极层（3）上是集电极层（4）；集电极层（4）上是基极层（5）；基极层（5）上是超晶格过渡层（6）；超晶格结构层（6）上是发射极（7）；发射极（7）上是接触层（8）；其生长方法，包括以下步骤：第一步 在半绝缘单晶InP衬底（1）生长一层InP缓冲层（2）；第二步 在InP缓冲层（2）上生长一层重n型掺杂InP次集电极层（3）；第三步 在重n型掺杂InP次集电极层（3）上生长轻n型掺杂InP集电极层（4）；第四步 在轻n型掺杂InP集电极层（4）上生长重p型掺杂GaAsSb基极层（5）；第五步 在GaAsSb基极层（5）上生长n型掺杂的GaAsSb/InP超晶格过渡层（6）；第六步 在超晶格结构层（6）上生长n型InP发射极（7）；第七步 在InP发射极（7）上生长重掺杂n型InP接触层（8）。