一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管

摘要

一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有间断不连续的P型掺杂柱状半导体区，在P型掺杂柱状半导体区上设有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型掺杂半导体接触区和N型掺杂半导体源区，其特征在于，在N型重掺杂半导体源区上连接有源极金属，在第二P型重掺杂半导体接触区上连接有衬底金属，在源极金属与衬底金属的下方设有作为电阻的多晶硅，且多晶硅分别与源极金属与衬底金属连接，在衬底金属上连接有顶层金属。

主权项

一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底(2)，在N型重掺杂硅衬底(2)的下表面设置有漏极金属(1)，在N型重掺杂硅衬底(2)的上表面设有N型掺杂硅外延层(3)，在N型掺杂硅外延层(3)内设有间断不连续的P型掺杂柱状半导体区(4)，在P型掺杂柱状半导体区(4)上设有第一P型掺杂半导体区(5)，且第一P型掺杂半导体区(5)位于N型掺杂外延层(3)内，在第一P型掺杂半导体区(5)中设有第二P型重掺杂半导体接触区(7)和N型重掺杂半导体源区(6)，在N型掺杂硅外延层(3)的上方设有栅氧化层(8)且栅氧化层(8)位于相邻P型掺杂柱状半导体区(4)之间的N型掺杂硅外延层部分的上方，在栅氧化层(8)上方设有多晶硅栅(9)，在多晶硅栅(9)上设有第一型氧化层(10)，其特征在于，在N型重掺杂半导体源区(6)上连接有源极金属(11)，在第二P型重掺杂半导体接触区(7)上连接有衬底金属(12)，在源极金属(11)与衬底金属(12)的下方设有作为电阻的多晶硅(13)，且多晶硅(13)分别与源极金属(11)与衬底金属(12)连接，在衬底金属(12)上连接有顶层金属(14)。