| 发明名称 | 功率半导体模块及制造功率半导体模块的方法 | ||
| 摘要 | 本发明名称为功率半导体模块及制造功率半导体模块的方法，涉及功率半导体模块，包括半导体器件(12)，尤其是绝缘栅双极晶体管、反向导电绝缘栅双极晶体管或双模绝缘栅晶体管，具有发射电极和集电极，将导电上层(14)烧结到发射电极，上层(14)至少部分地能够与半导体器件(12)的半导体形成共晶体，且至少部分地具有如下热膨胀系数：与半导体的热膨胀系数相差的范围是≤250％、尤其是≤50％，以及将导电基板(20)烧结到集电极。半导体模块(10)还包括与基板(20)电隔离且经由直接电连接(22)连接到上层(14)的导电区(24)。根据本发明的半导体模块易于制备，具有改进可靠性且呈现短路故障模式能力。 | ||
| 申请公布号 | CN102646667A | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN201210046920.8 | 申请日期 | 2012.02.17 |
| 申请人 | ABB研究有限公司 | 发明人 | 柳春雷;N·舒尔茨;S·基辛 |
| 分类号 | H01L23/62(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/051(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/62(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 汤春龙;朱海煜 |
| 主权项 | 一种功率半导体模块，包括半导体器件(12)，尤其是绝缘栅双极晶体管、反向导电绝缘栅双极晶体管或者双模绝缘栅晶体管，其具有发射电极和集电极，其中导电上层(14)通过烧结接合连接到发射电极，所述上层(14)的材料至少部分地能够与所述半导体器件(12)的材料形成共晶体，并且所述上层(14)至少部分地具有如下热膨胀系数：该热膨胀系数与所述半导体器件的热膨胀系数相差的范围是≤250％、尤其是≤50％，以及其中导电基板(20)通过另一个烧结接合连接到所述集电极，以及其中所述功率半导体模块(10)还包括与所述基板(20)电绝缘并且经由直接电连接(22)连接到所述上层(14)的导电区(24)。 | ||
| 地址 | 瑞士苏黎世 | ||