| 发明名称 | 互连结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种互连结构及其制作方法。其中互连结构，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的至少三层金属布线层；位于金属布线层之间的绝缘介质层；贯穿绝缘介质层厚度将金属布线层之间连通的导电插塞，所述金属布线层与导电插塞截面的组合构成环形分布。本发明能适于高速互连，增强互连结构的信号完整性，同时能降低信号间的串扰。 | ||
| 申请公布号 | CN102054818B | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN200910198579.6 | 申请日期 | 2009.11.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王津洲 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种互连结构，包括：半导体衬底，位于半导体衬底上的至少三层金属布线层，位于金属布线层之间的绝缘介质层，贯穿绝缘介质层厚度将金属布线层之间连通的导电插塞；其特征在于，所述金属布线层与导电插塞截面的组合构成环形分布。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||