| 发明名称 | 金属氧化膜的成膜方法、氧化锰膜的成膜方法及计算机可读取存储介质 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种可使与Cu的密合性变良好的金属氧化膜的成膜方法。该成膜方法是一种将含有有机金属化合物的气体供给到衬底上，在衬底上使金属氧化膜成膜的成膜方法，其中，将含有有机金属化合物的气体供给到衬底上，在衬底上使金属氧化膜成膜，并且，在金属氧化膜的成膜工艺的最后将金属氧化膜暴露于含氧气体或含氧等离子体中。 | ||
| 申请公布号 | CN102648513A | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN201080042660.6 | 申请日期 | 2010.09.17 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学 | 发明人 | 根石浩司;小池淳一;松本贤治 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 金世煜;陈剑华 |
| 主权项 | 一种金属氧化膜的成膜方法，是将含有有机金属化合物的气体供给到衬底上，在所述衬底上使金属氧化膜成膜的金属氧化膜的成膜方法，其中，将所述有机金属化合物供给到所述衬底上，在所述衬底上使金属氧化膜成膜，在所述金属氧化膜的成膜工艺的最后，将所述金属氧化膜暴露于含氧气体或含氧等离子体中。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||