基于SOI的积累型Si-NWFET制备方法

摘要

本发明公开了一种基于SOI的积累型Si-NWFET制备方法，包括：在SOI衬底上形成硅层和锗硅层；刻蚀硅层和锗硅层形成鳍形有源区和源漏区；在鳍形有源区内形成硅纳米线；形成沟道区和栅极并进行源漏区离子注入；形成积累型PMOSFET；沉积层间隔离介质层，在所述层间隔离介质层上形成积累型NMOSFET。由于基于SOI衬底，使下层PMOSFET中栅极与硅衬层之间能够很好地隔离；上下两层半导体纳米线MOSFET是由层间隔离介质层隔离开，便于层转移工艺的实现，也可以完全独立进行工艺调试，如栅极功函数调节；此外，本发明中PMSOFET与NMOSFET均为积累型，器件具有较高的载流子迁移率。

主权项

一种基于SOI的积累型Si‑NWFET制备方法，包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底由下至上依次包括硅衬层、埋氧层和顶层硅；将所述顶层硅转化为初始锗硅层；在所述初始锗硅层上形成硅层和后续锗硅层，所述初始锗硅层和后续锗硅层共同构成锗硅层；刻蚀所述锗硅层和硅层形成鳍形有源区；刻蚀所述锗硅层，形成鳍形沟道区，剩余的区域作为源漏区；在所述鳍形有源区内形成硅纳米线；在所述硅纳米线、SOI衬底以及源漏区表面形成栅极氧化层；在所述源漏区之间的SOI衬底上形成栅极；在所述源漏区与栅极之间形成沟道隔离介质层；进行源漏区离子注入以及退火工艺，所述离子类型为P型；进行自对准合金工艺，形成积累型PMOSFET；进行积累型PMOSFET的层间隔离介质层沉积；在所述层间隔离介质层上形成积累型NMOSFET；进行自对准合金以及后道金属互连工艺。