| 摘要 |
<p>본 발명은 종형 트랜지스터(SGT)로 구성된 E/R형 4T-SRAM에 있어서, 작은 SRAM 셀 면적과 안정된 동작 마진을 실현한다. 4개의 MOS 트랜지스터 및 2개의 부하저항소자를 이용하여 구성된 스태틱형 메모리 셀에 있어서, 상기 메모리 셀을 구성하는 MOS 트랜지스터는 매립 산화막상에 형성된 평면형상 실리콘층상에 형성되고, 상기 평면형상 실리콘층은 기억 노드이고, 상기 MOS 트랜지스터의 드레인, 게이트, 소스가 수직방향으로 배치되고, 게이트가 기둥형상 반도체층을 둘러싼 구조를 가지며, 부하저항소자는 상기 평면형상 실리콘층상에 형성된 폴리실리콘 플러그로 이루어진 작은 면적의 SRAM 셀을 실현한다.</p> |
