| 发明名称 | 光刻方法 | ||
| 摘要 | 一种光刻方法，包括：在显影后，使用干法蚀刻的方法修剪光阻图形，在所述干法蚀刻时采用偏置电压。所述光刻方法使得蚀刻气体离子与光阻图形进行蚀刻反应的位置更加精确，提高了修剪光阻图形的质量。从而通过修剪光阻图形，相应减小了后续蚀刻形成的半导体结构的线宽粗糙度。 | ||
| 申请公布号 | CN101937175B | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN200910054405.2 | 申请日期 | 2009.07.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;黄怡;张世谋 |
| 分类号 | G03F7/36(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种光刻方法，其特征在于，包括：在显影后，使用干法蚀刻的方法修剪光阻图形，在所述干法蚀刻时采用偏置电压，所述偏置电压通过设置于晶圆底部的电极提供。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||