有机薄膜晶体管及其形成方法

摘要

一种有机薄膜晶体管及其形成方法，该方法包括：提供一种包含在它们之间具有沟道区的源电极(2)及漏电极(4)、栅电极(1)、以及布置于源电极(2)及漏电极(4)与栅电极(1)之间的电介质层(10)的结构；以及使用该源电极(2)和漏电极(4)作为掩模对电介质层(10)进行图形化以在沟道区中形成比邻接于沟道区的电介质材料的区域更薄的电介质材料的区域。

主权项

一种形成有机薄膜晶体管的方法，其中有机薄膜晶体管是底栅类型的，所述方法包括如下步骤：提供一种包含源电极及漏电极、栅电极、以及布置于所述源电极及漏电极与所述栅电极之间的电介质层的结构，在所述源电极与所述漏电极之间具有沟道区，其中所述提供步骤包括：将所述栅电极形成于衬底上；在所述栅电极之上形成所述电介质层；以及在所述电介质层之上形成所述源电极及漏电极，其中所述源电极及漏电极由在它们之间的位于所述栅电极之上的所述沟道区所隔开；使用所述源电极及漏电极作为掩模对所述电介质层进行图形化以在所述沟道区中形成比相邻于所述沟道区的电介质材料的区域更薄的电介质材料的区域，其中所述图形化步骤包括：使用所述源电极及漏电极作为刻蚀掩模对所述沟道区中的所述电介质层进行刻蚀以减小所述沟道区中的所述电介质层的厚度；以及至少在所述源电极与所述漏电极之间的所述沟道区中形成一层有机半导体材料。